ECRプラズマ成膜法は、低温、低ダメージで緻密、平滑、高品質薄膜を形成できる成膜方法です。現代の電子部品の生産工程において欠かすことのできない先進テクノロジーです。 このECRプラズマ成膜法を用いたECRプラズマ成膜装置は、低温・低ダメージ成膜が必要な幅広い分野に最適の成膜装置です。特に、青紫色・赤色・赤外などの各種の高出力半導体レーザーの製造工程(端面コート)に欠くことのできない装置となっています。また、ハードディスクの GMR ヘッドやSAWデバイス等の製造工程でも活躍しています。 以下の装置以外にも小型イオン源、大型基板対応装置等、多数のラインナップを揃えております。
原子層堆積法はステップカバレッジ、膜厚制御性に優れており、高アスペクト比、複雑な三次元構造に原子レベルで膜厚制御された成膜が可能です。 AFALDは一般的な原子層堆積装置の特徴に加え、ミリ秒単位で制御されたプラズマ援用により反応性を高め、高緻密・高品質な薄膜成膜を可能としています。 金属前駆体を最大4種類、反応ガスを最大3種類、試料搬送機構は複数のタイプから選択可能で、研究開発から本格量産まで対応します。